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    最新时时彩刷钱教程:LM5145 6V至75V同步降压DC-DC控制器,具有宽占空比范围

    时间:2019-5-13, 来源:互联网, 文章类别:元器件知识库

    新时时彩赚钱技术 www.cs3q.com.cn 1特点

    多功能同步降压DC-DC控制器 - 6 V至75 V宽输入电压范围 - 0.8 V至60 V可调输出电压

    符合EN55022 / CISPR 22 EMI标准

    无损RDS(on)或分流电流检测

    开关频率从100 kHz到1 MHz - SYNC输入和SYNC输出力

    40 ns最小导通时间,用于高VIN / VOUT比率

    140 ns最小关断时间,用于低压降

    0.8 V基准电压,±1%反馈精度

    用于标准VTH MOSFET的7.5V栅极驱动器 - 14 ns自适应死区时间控制 - 2.3 A源和3.5 A灌电流能力 - 用于预偏置启动的低侧软启动

    可调节软启动或可选电压跟踪•快速线路和负载瞬态响应 - 具有线路前馈的电压模式控制 - 高增益带宽误差放大器

    用于排序和控制的精确使能输入和漏极开路电源良好指示器

    用于稳健设计的固有?;すδ?- 打嗝模式过流?;すδ?- 输入具有迟滞的UVLO - VCC和栅极驱动UVLO?;?- 具有迟滞的热关断?;?/p>

    带可湿性侧面的VQFN-20封装

    使用带有WEBENCH®PowerDesigner的LM5145创建定制设计

    2应用

    远程无线电单元(RRU)和BTS

    网络和计算能力•非隔离PoE和IP摄像机

    工业电机驱动器

    3描述LM5145 75V同步降压控制器设计用于从高输入电压源或受高压瞬变影响的输入轨进行调节,从而最大限度地减少对外部浪涌抑制元件的需求。高端开关的最小导通时间为40 ns,有助于实现较大的降压比,实现从48 V标称输入到低压轨的直接降压转换,从而降低系统复杂性和解决方案成本。

    LM5145在低至6 V的输入电压下降期间继续工作,如果需要,其占空比接近100%,非常适合高性能工业控制,机器人,数据通信和RF功率放大器应用。

    强制PWM(FPWM)操作消除了频率变化以最小化EMI,而用户可选择的二极管仿真功能可降低轻负载条件下的电流消耗。通过测量低端MOSFET两端的压降或使用可选的电流检测电阻来实现逐周期过流?;?。高达1 MHz的可调开关频率可与外部时钟源同步,以消除噪声敏感应用中的拍频。

    典型应用电路和效率性能,VOUT = 5 V.

    描述(续)LM5145电压模式控制器驱动外部高侧和低侧N沟道功率开关,具有适用于标准阈值MOSFET的强大7.5V栅极驱动器。具有A源和3.5

    A吸收能力的自适应定时栅极驱动器可在开关转换期间最大限度地减少体二极管导通,从而在高输入电压和高频率下驱动MOSFET时降低开关损耗并改善热性能。

    LM5145可以通过开关稳压器的输出或其他可用电源供电,从而进一步提高效率。

    相对于SYNCOUT内部振荡器的180°异相时钟输出是级联或多通道电源的理想选择,可降低输入电容纹波电流和EMI滤波器尺寸。

    LM5145的其他功能包括可配置的软启动,开漏电源良好监控器,用于故障报告和输出监控,单向启动至预偏置负载,集成VCC偏置电源稳压器和自举二极管,外部电源跟踪,精确使能具有迟滞的输入,用于可调节线路欠压锁定(UVLO),打嗝模式过载?;ず途哂凶远指垂δ艿娜裙囟媳;?。

    LM5145控制器采用3.5 mm×4.5 mm耐热增强型20引脚VQFN封装,具有额外的间距,适用于高压引脚和可润湿侧面,用于光学检查焊点圆角。

    引脚配置和功能

    RGY封装20针VQFN,带可湿性侧翼顶视图

    可湿性侧翼

    通常需要100%自动视觉检查(AVI)后装配以满足高可靠性和稳健性的要求。 标准四方扁平无引脚(VQFN)封装没有易于查看的可焊接或裸露引脚和端子。 因此,难以在视觉上确定封装是否成功焊接到印刷电路板(PCB)上。 开发了可湿式侧翼工艺以解决无铅封装的侧引线润湿问题。 LM5145采用20引脚VQFN封装,带有可润湿侧面,可提供可焊性的可视指示,从而缩短了检测时间和制造成本。

    详细说明

    概述

    LM5145是一款75V同步降压控制器,具有实现高效降压电源所需的所有功能,输出电压范围为0.8 V至60 V.电压模式控制架构采用输入前馈,具有出色的线路性能在宽VIN范围内的瞬态响应。电压模式控制支持高输入电压和低压差应用的宽占空比范围,以及需要高电压转换比(例如,10比1)时??梢允褂玫筒郌ET RDS(on)或电流检测电阻来实现逐周期电流限制的电流检测。工作频率可在100 kHz至1 MHz范围内编程。

    LM5145驱动外部高端和低端NMOS电源开关,具有适用于标准阈值MOSFET的强大7.5V栅极驱动器。高侧和低侧驱动器之间的自适应死区时间控制旨在最大限度地减少开关转换期间的体二极管导通。外部偏置电源可以连接到VCC引脚,以提高高压应用的效率。用户可选择的二极管仿真功能可实现非连续导通模式操作,从而在轻负载条件下提高效率并降低功耗。

    功能框图

    功能描述

    输入范围(VIN)

    LM5145的工作输入电压范围为6 V至75 V.该器件适用于12 V,24 V,48 V,60 V和72 V非稳压,半稳压和完全降压转换 调节供电轨。 图31的应用电路显示了使用单电源实现基于LM5145的wideVIN降压稳压器的所有必要组件。 LM5145使用内部LDO子寄存器为栅极驱动和控制电路提供7.5 V VCC偏置电压轨(假设输入电压高于7.5 V加上必要的子寄存器压差规范)。

    VIN工作范围为6 V至75 V的原理图

    在高压应用中,请特别注意确保VIN引脚在线路或负载瞬态事件期间不超过105 V的绝对最大额定电压。 VIN引脚上的电压振铃超过绝对最大额定值可能会损坏IC。使用高品质陶瓷输入电容可最大限度地减少振铃。从输入轨到VIN引脚的RC滤波器(例如,4.7Ω和0.1μF)在VIN引脚提供辅助滤波。

    输出电压设定值和精度(FB)

    FB引脚的参考电压设置为0.8 V,反馈系统精度超过±1%的整个结温范围。器件的结温范围为-40°C至+ 125°C。虽然LM5145依赖于开关频率和负载电流水平,但通常能够提供0.8 V至最大60 V或稍低于VIN的输出电压,以较低者为准。正常工作期间的直流输出电压设定值由连接到输出的反馈电阻网络RFB1和RFB2设置。

    高压偏置电源稳压器(VCC)

    LM5145内置高压VCC稳压器,为PWM控制器提供偏置电源,为外部MOSFET提供栅极驱动器。输入引脚(VIN)可以直接连接到高达75 V的输入电压源.VCC稳压器的输出设置为7.5 V.但是,当输入电压低于VCC设定点电平时,VCC输出跟踪VIN电压降小。在VCC和AGND之间连接1μF至5μF的陶瓷去耦电容,以确保稳定性。

    功能描述(续)

    VCC稳压器输出的电流限制为40 mA(最小值)。 上电时,稳压器将电流输入连接到VCC引脚的电容。 当VCC电压超过其上升的UVLO阈值4.93 V时,输出使能(如果EN / UVLO高于1.2 V),软启动序列开始。 输出保持有效,直到VCC电压降至其下降的UVLO阈值4.67 V(典型值)或EN / UVLO进入待机或关闭状态。

    通过使用二极管DVCC将输出电压或辅助偏置电源轨(最高13 V)连接到VCC,可以最大限度地降低VCC稳压器的内部功耗,如图32所示。与输入串联的二极管可防止反向电流流动 如果输入电压低于外部VCC轨,则从VCC到VIN

    VOUT或辅助电源的VCC偏置电源连接

    注意,存在有限偏置电源调节器压降电压,并且当在升高的开关频率下驱动高栅极电荷(QG)功率MOSFET时,表现得更大。例如,在VVIN = 6 V时,VCC电压为5.8 V,DC工作电流IVCC为20 mA。这种低栅极驱动电压可能不足以完全增强功率MOSFET。至少,MOSFET导通电阻RDS(ON)可能会在如此低的栅极驱动电压下增加。

    以下是在低于7.5 V的输入电压下工作时的主要考虑因素:•在较低的VGS下增加MOSFET RDS(on),导致传导损耗增加和OCP设定点降低。 •在较低的栅极电压下工作时,开关时间较慢,因此开关损耗增加。 •限制范围的合适功率MOSFET可供选择(RDS(on)额定值为VGS = 4.5 V的MOSFET必须使用)。

    精确使能(EN / UVLO)

    EN / UVLO输入支持可调输入欠压锁定(UVLO),其滞后由电阻值编程,可满足特定应用的上电和断电要求。 EN / UVLO连接到基于比较器的输入,参考1.2 V带隙电压。外部逻辑信号可用于驱动EN / UVLO输入以切换输出ON和OFF以及系统排序或?;?。启用LM5145操作的最简单方法是将EN / UVLO直接连接到VIN。当VCC在其有效工作范围内时,这允许LM5145自启动。然而,许多应用受益于使用电阻分压器RUV1和RUV2,以建立精确的UVLO电平。在给定所需的输入开关和关断电压的情况下,使用公式1和公式2计算UVLO电阻

    功能描述(续)

    功能描述(续)

    可编程输入电压uvlo开启和关闭

    当en/uvlo低于约0.4 V时,LM5145进入低智商关闭模式。内部LDO调节器断电,内部偏压电源轨崩溃,关闭LM5145的偏压电流。当en/uvlo电压介于硬关机和精密启用(待机)阈值之间时,LM5145在待机模式下工作。

    8.3.5电源良好监视器(PGOOD)

    LM5145提供一个PGood标志针,用于指示输出电压何时在调节窗口内。使用图34所示的PGOOD信号进行下游转换器的启动顺序、故障?;ず褪涑黾嗖?。PGOOD是一种开漏输出,需要一个对不大于13 V的直流电源的上拉电阻。上拉电阻的典型范围为10 kΩ至100 kΩ。如有必要,使用电阻分压器降低高电压上拉轨的电压。

    使用pgood和en/uvlo实现主从序列

    当FB电压超过内部参考Vref的94%时,内部PGood开关关闭,外部上拉可将PGood拉高。如果FB电压低于VREF的92%,内部PGOD开关接通,PGOLD被拉低指示输出电压不符合规定。同样,当FB电压超过VREF的108%时,内部PGood开关打开,将PGood拉低。如果FB电压随后降至VREF的105%以下,则PGOOD开关关闭,PGOOD被拉高。PGOOD具有25微秒的内置去胶延迟。

    特征描述(续)

    开关频率(RT、SYNCIN)有两个选项用于设置LM5145的开关频率fsw,从而在为各种应用选择外部组件时为电源设计人员提供一定的灵活性。要调整频率,请使用从RT针到AGND的电阻,或通过同步针将LM5145同步到外部时钟信号。

    1频率调整

    使用从RT引脚到Agnd的电阻调整LM5145自由运行开关频率??仄德史段?00 kHz至1 MHz。频率设定电阻rrt由方程式3控制。E96常用开关频率的标准值电阻器如表1所示。

    时钟同步

    在LM5145上施加外部时钟同步信号,以同步频率和相位的切换。外部时钟同步信号的要求为:•时钟频率范围:100 kHz至1 MHz•时钟频率:RRT设定的自由运行频率的-20%至+50%•时钟最大电压振幅:13 V•时钟最小脉冲宽度:50 ns

    图35显示了400 kHz时的时钟信号和相应的sw节点波形(vin=48 V,vout=5 V,自由运行频率=280 kHz)。软件电压波形与同步素的上升沿同步。相对于同步,SW电压的上升沿相位延迟约100 ns。

    8.3.7可配置软启动(SS/TRK)

    当en/uvlo引脚超过其1.2 V的上升阈值后,LM5145开始将输出充电至反馈电阻网络规定的直流电平。LM5145具有可调软启动(由从SS/TRK引脚到GND的电容器设置),用于确定输出的充电时间。一个10微安的电流源给这个软启动电容充电。软启动限制高输出电容导致的涌入电流,以避免过流情况。输入电源轨上的应力也降低了。输出电压斜升到其额定水平的软启动时间tss由方程式4设定。

    其中•css是软启动电容•vref是0.8伏参考电压•iss是来自ss/trk引脚的10微安电流。(4)更简单地说,用公式5计算css。

    SS/TRK引脚内部夹持至VFB+115 mV,以允许从过载事件中进行软启动恢复。钳位电路需要大于2 nF的软启动电容,以确保稳定性,并且电流限制约为2 mA。

    跟踪

    当需要主从电源跟踪时,SS/TRK管脚也可以作为跟踪管脚。这种跟踪是通过简单的电阻网络简单地将主电路的输出电压除以来实现的。重合、比例和偏移跟踪模式是可能的。

    如果外部电压源连接到SS/TRK引脚,则有效禁用LM5145的外部软启动功能。当SS/轨道销达到0.8-V参考电压水平时,达到调节输出电压水平。系统设计者的责任是确定外部软启动电容器是否需要在启动事件期间保持设备不进入电流限制。同样,如果启用跟踪特性,系统设计者还必须知道输入电源斜坡的速度有多快。

    直接驱动SS/TRK的三角形电压信号和相应的输出电压跟踪响应。这里的额定输出电压为5伏,选择示波器通道比例,以便在跟踪过程中波形重叠。如预期,PGOOD标志在额定输出电压设定值的94%(上升)和92%(下降)的阈值处转换。

    两种实用的跟踪配置,比率和重合。最常见的应用是同步跟踪,用于DSP和FPGA中的核心对I/O电压跟踪。重合跟踪迫使主和从信道具有相同的输出电压斜坡速率,直到从输出到达其调节的设定点。相反,比例跟踪将从系统的输出电压设置为启动期间主系统输出电压的一小部分。

    使用主轨、比率从轨和重合从轨的跟踪实现

    对于同步跟踪,将从调压器的SS/TRK输入连接到与从调压器FB引脚上使用的分压器相同的主调压器输出电压的电阻分压器?;痪浠八?,只需选择rtrk3=rfb3和rtrk4=rfb4,如图37所示。当主电压升高时,从电压同样升高(当VFB低于0.8 V时,从SS/TRK到FB的80 mV偏移除外)。最终,从电压达到其调节电压,此时,内部参考接管调节,而SS/TRK输入继续高于FB 115 mV,不再控制输出电压。

    在所有情况下,为了确保输出电压精度不受SS/TRK电压太接近0.8 V参考电压的影响,从机的SS/TRK电压的最终值应至少高于FB 100 mV。

    电压模式控制(comp)

    LM5145集成了电压模式控制环路实现和输入电压前馈,以消除PWM调制器增益的输入电压依赖性。这种配置允许控制器在整个输入电压工作范围内保持稳定,并提供对输入电压瞬态干扰的最佳响应??刂破魈峁┑暮愣ㄔ鲆娲蟠蠹蚧嘶仿凡钩ド杓?,因为与没有电压前馈的降压变换器不同,随着输入电压的变化,环路特性保持不变。输入电压的增加与斜坡电压振幅的增加相匹配,以保持恒定的调制器增益。输入电压前馈增益KFF为15,相当于输入电压除以斜坡幅度VIN/VRAMP。有关更多详细信息,请参见控制回路补偿。

    门驱动器(Lo,Ho)

    LM5145栅极驱动器阻抗很低,足以在高输出电流应用中有效地执行,在这种应用中,使用了相应大栅极电荷的大尺寸或并联MOSFET,qg。在VVCC=7.5 V下测量,LM5145的低侧驱动器具有0.9Ω的低阻抗下拉路径,以最小化dv/dt诱导打开的影响,特别是在低栅极阈值电压MOSFET下。同样,高侧驱动器有1.5Ω和0.9Ω的上拉和下拉阻抗,用于更快的开关转换时间、更低的开关损耗和更高的效率。

    高压侧栅极驱动器与集成自举二极管和外部自举电容器CBST一起工作。当低压侧MOSFET导通时,SW电压约为0 V,CBST通过集成启动二极管从VCC充电。将0.1μF或更大的陶瓷电容器连接到BST和SW引脚附近。

    此外,在两个开关边缘都有一个专有的自适应死区时间控制,以防止射穿和交叉传导,最小化体二极管传导时间,并减少体二极管反向恢复损失。

    电流传感和过流?;ぃ↖LIM)

    LM5145实现了一种无损电流检测方案,设计用于在过载或短路条件下限制电感电流。图38描绘了使用低侧MOSFET的导通电阻的流行电流感测方法。同时,图39显示了电流分流电阻RS的替代实现。LM5145在脉宽调制关闭时间(LO高时)感应电感电流。

    mosfet rds(on)电流感应图39。并联电阻电流传感

    lm5145的ilim引脚提供参考电流,该参考电流流入指定为rilim的外部电阻器,以编程设定电流限制阈值。如果ILIM引脚电压低于GND,则ILIM引脚上的电流限制比较器可防止进一步的SW脉冲。图40显示了实现。电阻器RILIM与SW相连,使用低压侧MOSFET的RDS(开)作为传感元件(称为RDS-ON模式)?;蛘?,RILIM与连接在低侧MOSFET源(称为RSENSE模式)的分流电阻相连。LM5145在启动时检测到适当的模式,并相应地设置源电流振幅和温度系数(tc)。带RDS-ON传感的ILIM电流在27°C结温下为200微安,并包含+4500 ppm/°C的Tc,以通常跟踪低端MOSFET的RDS(ON)温度变化。相反,在RSENSE模式下,ILIM电流是恒定的100μA。这控制了在输出处的稳态过载期间电感器电流的谷。根据选择的模式,使用方程式6选择Rilim的电阻。

    其中

    •Δil为峰间电感纹波电流

    •rds(on)q2为低侧MOSFET的导通状态电阻

    •irdson为rds-on模式下的ilim管脚电流

    •rs为电流传感分路元件的电阻,

    •irs为rsense模式下的ilim管脚电流。

    (6)在RDS-ON模式下,由于ILIM的电压波动较大,所以从ILIM到PGND的CiLIM电容器对谷值电流限制电路的运行至关重要。选择该电容,使时间常数Rilim·Cilim约为6 ns。

    电流源Irdson和电阻Rilim在RDS-ON模式下定义的OCP设定值

    注意,分流元件的电流检测通常在较低的输出电流电平下实现,以提供准确的过电流?;?。由于不可避免的效率损失、印刷电路板布局和额外的成本影响,这种配置通常不会在大电流应用中实现(除非OCP设定点精度和工作温度范围内的稳定性是关键规范)。

    占空比限制器

    OCP占空比限制波形

    除了谷值电流限制外,LM5145还使用专用的占空比限制器电路来减少过流条件下的脉宽调制接通时间。如图40所示,辅助脉宽调制比较器以及调制的钳位电压限制了对补偿电压中的一个较大的阶跃(通常在电压模式控制回路结构中发生)作出响应时,接通时间增加的速度。如图41所示,夹钳电压vclamp通常调节在comp电压之上,以在响应瞬态负载时提供足够的净空。如果在过载或短路的输出条件下,补偿电压迅速上升,则接通脉冲终止,从而限制接通时间和峰值电感电流。此外,如果发生额外的谷值电流限制事件,钳位电压会降低,从而进一步降低平均输出电流。

    如果在128个连续时钟周期内存在过电流情况,则会触发一个打嗝事件,并在软启动序列启动前将SS拉低8192个时钟周期。

    装置功能模式

    ?;绞?/p>

    en/uvlo引脚为LM5145提供开/关控制。当E/UVLO电压低于0.37 V(典型)时,器件处于关断模式。内部偏置电源LDO和开关稳压器都断开。?;J较碌木蔡缌髟赩IN=48 V时降至13.5μA(典型值)。LM5145还包括内部偏压LDO的欠压?;?。如果内部偏压电源电压低于其uvlo阈值水平,开关调节器将保持关闭状态。

    待机模式

    内部偏压电源LDO的启用阈值低于开关调节器。当en/uvlo电压超过0.42 V(典型值)且低于精度启用阈值(典型值为1.2 V)时,内部LDO开启并调节。在待机状态下,开关动作和输出电压调节被禁用。

    设备功能模式(续)

    激活模式

    当VCC电压高于其上升uvlo阈值5 V且en/uvlo电压高于精度en阈值1.2 V时,LM5145处于激活模式。启用LM5145的最简单方法是将en/uvlo与VIN绑定。当输入电压超过VCC阈值加上从VIN到VCC的LDO输出电压时,这允许LM5145自动启动。

    二极管仿真模式

    LM5145提供了一个二极管仿真功能,可以防止反向(漏源到源)电流在低压侧MOSFET中流动。当配置用于二极管仿真时,当通过使用零交叉比较器检测到开关电压检测到反向电流时,低侧MOSFET被关闭。这种配置的好处是在空载和轻负载条件下降低功率损失,缺点是轻负载瞬态响应较慢。

    二极管仿真功能配置有同步针。为了实现二极管仿真,从而在轻负载下实现不连续导电模式(DCM)操作,请将同步针连接到AGND或保持同步浮动。如果需要强制脉宽调制(FPWM)连续传导模式(CCM)操作,直接或使用上拉电阻将同步连接到VCC。请注意,二极管仿真模式是自动启用的,以防止在预偏压启动期间反向电流流动。从DCM操作到CCM操作的逐渐变化提供了单调的启动性能。

    热停堆

    LM5145包括一个内部结温度监测器。如果温度超过175°C(典型),则会发生热关机。

    进入热停堆时,装置:1。关闭低侧和高侧MOSFET;2.将SS/TRK和PGOOD拉低;3.当模具温度因20°C(典型)的热关机滞后而降低时,启动软启动程序。这是一种非闭锁?;?,因此,如果故障持续存在,设备将循环进入和退出热关机。

    应用与实施

    注:以下应用部分中的信息不属于TI组件规范的一部分,且TI不保证其准确性或完整性。TI的客户负责确定组件是否适合其用途??突вρ橹ず筒馐云渖杓剖迪?,以确认系统功能。

    申请信息

    设计与实施

    为了加快为给定应用设计基于LM5145的调节器的过程,请使用免费下载的LM5145快速启动计算器,以及填充在Ti Designs™参考设计库中的大量LM5145参考设计,或典型应用中提供的设计。LM5145还支持WebEnch®Designer。

    动力传动系部件

    对动力传动系部件的全面了解和理解是成功完成同步降压调节器设计的关键。

    对于大多数应用,选择电感,使电感纹波电流Δil在额定输入电压下最大直流输出电流的30%至40%之间。根据方程式8给出的峰值电感电流,使用方程式7选择电感。

    检查电感器数据表以确保电感器的饱和电流远高于特定设计的峰值电感电流。铁氧体设计具有很低的磁芯损耗,在高开关频率下更受欢迎,因此设计目标可以集中在铜损耗和防止饱和上。降低空载输入电流和提高轻载效率证明了低电感铁心损耗。然而,铁氧体磁芯材料表现出很强的饱和特性,当超过饱和电流时,电感会突然崩溃。这导致电感纹波电流突然增大,输出电压纹波增大,更不用说效率降低和可靠性降低了。注意,电感的饱和电流通常随着磁芯温度的升高而降低。当然,准确的过电流?;な潜苊獾绺斜ズ偷墓丶?。

    输出电容器

    通常,将调节器的输出电容储能与控制回路响应结合起来,以保持输出电压在动态(瞬态)公差规范内的完整性。功率管理应用中限制输出电容器的常见边界是由有限的可用印刷电路板面积、元件占地面积和外形以及成本驱动的。电容器寄生等效串联电阻(ESR)和等效串联电感(ESL)随着负载阶跃振幅和转换速率的增加,在形成调节器的负载瞬态响应时具有更大的优先权。输出电容器,cout,过滤电感纹波电流,并为阶跃负载瞬态事件提供电荷储备。通常,陶瓷电容器提供极低的ESR,以降低输出电压纹波和噪声峰值,而钽和电解电容器在相对紧凑的占地面积内提供大体积电容,用于瞬态负载事件。根据输出电压的峰间纹波的静态规格,用Δvout表示,选择一个大于方程9给出的输出电容。

    申请信息(续)

    从概念上说明了负载上升和下降过渡期间的相关电流波形。如图所示,电感电流的大信号转换率受到限制,因为电感电流会随着负载瞬态后的新负载电流水平的增加而增大。这种转换速率限制加剧了输出电容器中的电荷不足,在负载上升瞬态期间和之后,必须尽快对其进行补充。同样,在负载降压瞬态期间和之后,电感电流的转换速率限制会增加输出电容器中必须尽快耗尽的剩余电荷。


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