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    新时时彩后二教程:16M-BITSERIAL FLASH MEMORY WITHDUAL和QUAD SPI

    时间:2019-4-18, 来源:互联网, 文章类别:元器件知识库

    新时时彩赚钱技术 www.cs3q.com.cn 一般说明
    W25Q16BV(16M位)串行闪存为有限的系统提供存储解决方案空间,针脚和电源。 25Q系列提供的灵活性和性能远远超出普通
    闪存设备。它们非常适合将代码映射到RAM,直接从Dual / Quad SPI执行代码(XIP)并存储语音,文本和数据。这些器件采用2.7V至3.6V单电源供电流消耗低至4mA有效,1μA用于断电。所有设备均以空间提供 - 保存包裹。
    W25Q16BV阵列分为8,192个可编程页面,每页256字节。最多256个字节可以一次编程。页面可以以16个组(扇区擦除),128个组(32KB)擦除块擦除),256个组(64KB块擦除)或整个芯片(芯片擦除)。 W25Q16BV有512可擦除扇区和32个可擦除块。小的4KB扇区允许更大的灵活性需要数据和参数存储的应用程序。
    W25Q16BV支持标准串行外设接口(SPI)和高性能双/四路输出以及双/四路I / O SPI:串行时钟,片选,串行数据I / O0(DI),I / O1(DO),I / O2(/ WP)和I / O3(/ HOLD)。支持高达104MHz的SPI时钟频率
    使用快速时,双输出的等效时钟频率为208MHz,四路输出的等效时钟频率为416MHz读取双/四输出指令。这些传输速率可以胜过标准的异步8和16位并行闪存。连续读取模式允许使用as进行高效的内存访问很少有8个时钟的指令开销来读取24位地址,允许真正的XIP(就地执行)操作。
    保持引脚,写?;ひ藕涂杀喑绦幢;?,带顶部或底部阵列控制,提供进一步的控制灵活此外,该设备支持JEDEC标准制造商和具有64位唯一序列号的设备标识。

    特征
    •SpiFlash Memories系列
    - W25Q16BV:16M位/ 2M字节(2,097,152)
    - 每个可编程页面256字节
    •标准,双路或四路SPI
    - 标准SPI:CLK,/ CS,DI,DO,/ WP,/保持
    - 双SPI:CLK,/ CS,IO0,IO1,/ WP,/保持
    - 四路SPI:CLK,/ CS,IO0,IO1,IO2,IO3
    •最高性能的串行闪存
    - 高达普通串行闪存的8倍
    - 104MHz时钟操作
    - 208MHz等效双SPI
    - 416MHz等效Quad SPI
    - 50MB / S连续数据传输速率
    •高效的“连续读取模式”
    - 低指令开销
    - 只需8个时钟即可解决内存问题
    - 允许真正的XIP(就地执行)操作
    - 优于X16并行闪存
    •低功率,宽温度范围
    - 2.7至3.6V单电源
    - 4mA有功电流,<1μA断电(典型值)
    - -40°C至+ 85°C的工作范围
    •灵活的架构,4KB扇区
    - 统一扇区擦除(4K字节)
    - 块擦除(32K和64K字节)
    - 程序1到256个字节
    - 超过100,000次擦除/写入周期
    - 超过20年的数据保留
    •高级安全功能
    - 软件和硬件写?;?br /> - 顶部或底部,扇区或块选择
    - 锁定和OTP?;ぃ?)
    - 每个设备的64位唯一ID
    •节省空间的包装
    - 8引脚SOIC 150(2)/ 208密耳
    - 8-pad WSON 6x5-mm
    - 8引脚PDIP 300 mil(2)
    - 16引脚SOIC 300 mil(2)
    - 联系Winbond获取KGD和其他选项

    包装类型
    W25Q16BV采用8引脚塑料150密耳或208密耳宽度SOIC(封装代码SN和SS)和6x5-mm WSON(封装代码ZP),分别如图1a和1b所示。 300密耳8引脚PDIP是包选择的另一种选择。 W25Q16BV还采用16引脚塑料制成
    300密耳宽SOIC(封装代码SF)
    SPI片?。? CS)引脚用于使能和禁止器件操作。当/ CS为高电平时,器件为取消选择,串行数据输出(DO或IO0,IO1,IO2,IO3)引脚处于高阻态。什么时候取消选择后,器件功耗将处于待机水平,除非内部擦除,编程或状态寄存器周期正在进行中。当/ CS变为低电平时,将选择设备供电消耗量将增加到活动水平,并且可以写入指令并从中读取数据设备。上电后,/ CS必须在接受新指令之前从高电平转换为低电平。
    / CS输入必须在上电时跟踪VCC电源电平。如果需要一个上拉电阻/ CS可以用来实现这一点。串行数据输入,输出和IO(DI,DO和IO0,IO1,IO2,IO3)
    W25Q16BV支持标准SPI,双SPI和四线SPI操作。标准SPI指令使用单向DI(输入)引脚,用于在上升时将指令,地址或数据串行写入器件串行时钟(CLK)输入引脚的边沿。标准SPI还使用单向DO(输出)进行读取来自器件的数据或状态在下降沿CLK。
    双通道和四通道SPI指令使用双向IO引脚串行写入指令,地址或数据在CLK的上升沿到器件,并在器件的下降沿读取数据或状态CLK。四SPI指令要求设置状态寄存器-2中的非易失性四线使能位(QE)。
    当QE = 1时,/ WP引脚变为IO2,/ HOLD引脚变为IO3。)
    写?;ぃ? WP)引脚可用于防止写入状态寄存器。用于与状态寄存器的块?;ぃ⊿EC,TB,BP2,BP1和BP0)位和状态相结合寄存器?;ぃ⊿RP)位,部分或整个存储器阵列可以受硬件?;?。
    引脚低电平有效。当状态寄存器-2的QE位设置为四I / O时,/ WP引脚(硬件写操作)由于此引脚用于IO2,因此无法使用?;すδ?。
    / HOLD引脚允许器件在主动选择时暂停。当/ HOLD变低时,当/ CS为低电平时,DO引脚将处于高阻态,DI和CLK引脚上的信号将被忽略(不在乎)。当/ HOLD变为高电平时,器件操作可以恢复。 / HOLD功能可以
    当多个设备共享相同的SPI信号时很有用。 / HOLD引脚为低电平有效。当。。。的时候状态寄存器-2的QE位设置为四I / O,由于该引脚为/ HOLD引脚功能不可用用于IO3。有关Quad I / O操作的引脚配置

    SPI串行时钟输入(CLK)引脚提供串行输入和输出操作的时序

    标准SPI指令W25Q16BV通过SPI兼容总线访问,该总线由四个信号组成:串行时钟(CLK),片?。? CS),串行数据输入(DI)和串行数据输出(DO)。 标准SPI指令使用DI输入引脚在上升沿将串行指令,地址或数据写入器件CLK。 DO输出引脚用于在下降沿CLK从器件读取数据或状态。SPI总线操作支持模式0(0,0)和3(1,1)。 模式0和模式0之间的主要区别当SPI总线主机处于待机状态且数据为时,模式3涉及CLK信号的正常状态没有被转移到串行闪存。 对于模式0,CLK信号在下降和下降时通常为低电平/ CS的上升沿。 对于模式3,CLK信号在/ CS的下降沿和上升沿通常为高电平。

    双SPI指令使用“快速读取双输出和双I / O”时,W25Q16BV支持双SPI操作说明。 这些指令允许数据以2到2传输到设备或从设备传输普通串行闪存设备的三倍速率。 双读指令非常适合快速使用在加电(代码阴影)或执行非速度关键代码时将代码下载到RAM直接来自SPI总线(XIP)。 使用双SPI指令时,DI和DO引脚变为双向I / O引脚:IO0和IO1。

    四SPI指令使用“快速读取四路输出”,“快速读取”时,W25Q16BV支持四路SPI操作四I / O“,”字读取四I / O“和”八字四字I / O“(分别为6B,EB,E7和E3十六进制)。这些指令允许数据以普通速率的四到六倍的速率传输到设备或从设备传输串行闪存。 Quad Read指令在连续和随机方面提供了显着的改进访问传输速率允许快速代码遮蔽到RAM或直接从SPI总线(XIP)执行。使用Quad SPI指令时,DI和DO引脚变为双向IO0和IO1,以及/ WP和/ HOLD引脚分别变为IO2和IO3。 四SPI指令需要非易失性Quad使能状态寄存器-2中的使能位(QE)。

    保持功能/ HOLD信号允许W25Q16BV操作在主动选择时暂停(当/ CS为时)低)。在共享SPI数据和时钟信号的情况下,/ HOLD功能可能很有用其他设备。例如,考虑在优先级中断时是否仅部分写入页缓冲区需要使用SPI总线。在这种情况下,/ HOLD功能可以保存指令的状态和缓冲区中的数据,因此一旦总线再次可用,编程就可以从停止的地方恢复。该/ HOLD功能仅适用于标准SPI和双SPI操作,而不适用于Quad SPI。要启动/ HOLD条件,必须在/ CS为低电平时选择器件。 A / HOLD条件将激活如果CLK信号已经为低电平,则在/ HOLD信号的下降沿。如果CLK已经不低了/ HOLD条件将在CLK的下一个下降沿之后激活。 / HOLD条件将终止于如果CLK信号已经为低电平,则/ HOLD信号的上升沿。如果CLK尚未低/ HOLD条件将在CLK的下一个下降沿之后终止。在/ HOLD条件期间,串行数据输出(DO)为高阻抗,忽略串行数据输入(DI)和串行时钟(CLK)。芯片选择(/ CS)信号应在/ HOLD操作的整个持续时间内保持有效(低)以避免重置设备的内部逻辑状态。

    写?;な褂梅且资源娲⑵鞯挠τ帽匦肟悸窃肷推渌肷目赡苄钥赡芪<笆萃暾缘牟焕低程跫?。 为了解决这个问题,W25Q16BV提供了几种?;な菝馐芪抟庑慈氲姆椒?。

    •当VCC低于阈值时,设备复位•上电后延时写入禁用•编程和擦除后写入启用/禁用指令和自动写入禁用•使用状态寄存器进行软件和硬件(/ WP引脚)写?;?#8226;使用掉电指令进行写?;?#8226;锁定写?;?,直到下次上电(1)•一次性程序(OTP)写?;ぃ?)注1:特殊订单可提供这些功能。请参阅订购信息。上电或掉电时,W25Q16BV将保持复位状态,而VCC低于V WI的阈值(参见上电时序和电压电平,图32)。重置时,全部操作已禁用,并且未识别任何指令。在上电期间和VCC电压之后如果超过V WI,则对于t PUW的时间延迟,进一步禁用所有编程和擦除相关指令。这个包括写使能,页编程,扇区擦除,块擦除,芯片擦除和写状态注册说明。请注意,芯片选择引脚(/ CS)必须在上电时跟踪VCC电源电平,直到达到VCC-min水平和t VSL时间延迟。如果需要,可以使用/ CS上的上拉电阻完成这个。上电后,器件通过状态寄存器写操作自动进入写禁止状态启用锁存器(WEL)设置为0.必须在页面编程,扇区之前发出写入启用指令将接受擦除,芯片擦除或写入状态寄存器指令。完成一个程序后,擦除或写入指令将写入使能锁存器(WEL)自动清除为写入禁用状态0。使用写入状态寄存器指令和设置便于软件控制的写?;ぷ刺拇嫫鞅;ぃ⊿RP0,SRP1)和块?;ぃ⊿EC,TB,BP2,BP1和BP0)位。这些设置允许将部分或全部内存配置为只读。与...一起使用写?;ぃ? WP)引脚,可以在硬件下启用或禁用对状态寄存器的更改控制。

    控制和状态寄存器Read Status Register-1和Status Register-2指令可用于提供状态闪存阵列的可用性,如果设备被写入启用或禁用,则写入状态?;?,Quad SPI设置和Erase Suspend状态。 写状态寄存器指令可以是用于配置器件写?;すδ芎蚎uad SPI设置。 写入对状态的访问权限寄存器由非易失性状态寄存器?;の唬⊿RP0,SRP1)的状态控制,即写入启用指令,在某些情况下启用/ WP引脚。BUSY是状态寄存器(S0)中的只读位,当器件执行a时,该位被设置为1状态页面编程,扇区擦除,块擦除,芯片擦除或写入状态寄存器指令。 在这设备将忽略除读取状态寄存器和擦除暂停之外的其他指令的时间指令。 当程序,擦除或写入状态寄存器指令完成后,BUSY位将被清除为0状态,表示器件已就绪有关进一步说明。

    写使能锁存器(WEL)是状态寄存器(S1)中的只读位,在执行a后设置为1写使能指令。 当器件禁止写入时,WEL状态位清0。 一个写上电或在以下任何指令之后发生禁用状态:写入禁用,页面程序,扇区擦除,块擦除,芯片擦除和写状态寄存器。

    块?;の唬˙P2,BP1,BP0)是状态寄存器中的非易失性读/写位(S4,S3和S2)提供写?;た刂坪妥刺?。 可以使用写入状态设置块?;の患拇嫫髦噶睿ú渭涣魈匦灾械膖 W)。 所有,没有或部分存储器阵列都可以受编程和擦除指令?;ぃú渭刺拇嫫鞔娲⑵鞅;け恚?。该块?;の坏某龀仙柚梦?,没有任何阵列受?;?。

    非易失性顶部/底部位(TB)控制块?;の唬˙P2,BP1,BP0)是否可以?;な榈腡op(TB = 0)或Bottom(TB = 1),如状态寄存器存储器?;け硭?。出厂默认设置为TB = 0。 可以使用写状态寄存器指令设置TB位取决于SRP0,SRP1和WEL位的状态。

    非易失性扇区?;の唬⊿EC)控制块?;の唬˙P2,BP1,BP0)是否?;?KB如图所示,阵列的顶部(TB = 0)或底部(TB = 1)中的扇区(SEC = 1)或64KB块(SEC = 0)在状态寄存器内存?;け碇?。 默认设置为SEC = 0。

    状态寄存器?;ぃ⊿RP1,SRP0)状态寄存器?;の唬⊿RP1和SRP0)是状态寄存器中的非易失性读/写位(S8和S7)。 SRP位控制写?;さ姆椒ǎ喝砑;?,硬件?;?,电源锁定或一次性可编程(OTP)?;?。

    挂起状态位是状态寄存器(S15)中的只读位,在执行后设置为1擦除暂停(75h)指令。 通过擦除恢复(7Ah)指令将SUS状态位清除为0以及断电,上电周期。

    四路使能(QE)位是状态寄存器(S9)中的非易失性读/写位,允许四线SPI操作。 当QE位设置为0状态(出厂默认值)时,/ WP引脚和/ HOLD被使能。当QE位设置为1时,Quad IO2和IO3引脚使能,/ WP和/ HOLD功能为禁用。

    警告:如果/ WP或/ HOLD引脚在电源期间直接连接到电源或接地标准SPI或双SPI操作时,QE位不应设置为1。

    说明W25Q16BV的指令集由30个完全控制的基本指令组成SPI总线。在Chip Select的下降沿启动指令(/ CS)。时钟输入DI输入的第一个数据字节提供指令代码。 DI输入的数据是在时钟的上升沿采样,最高有效位(MSB)优先。指令的长度从单个字节到几个字节不等,可能后跟地址字节,数据字节,虚拟字节(不关心),在某些情况下,组合。说明书已完成边缘/ CS的上升沿。每条指令的时钟相对时序图包含在图4中所有读取指令都可以在任何时钟位之后完成。但是,所有说明写,编程或擦除必须在字节边界上完成(/ CS在完整的8位后驱动为高电平但是指令将被终止。此功能进一步?;ど璞该馐芄セ魑抟庵行吹?。此外,在编程或擦除存储器时,或状态时正在写入寄存器,除了读取状态寄存器之外的所有指令都将被忽略,直到程序为止或擦除周期已完成。

    写使能(06h)写使能指令将状态寄存器中的写使能锁存(WEL)位设置为a1.必须在每页编程,扇区擦除,块擦除,芯片擦除和之前设置WEL位写状态寄存器指令。 通过驱动/ CS低电平输入写入使能指令在CLK的上升沿将指令代码“06h”输入数据输入(DI)引脚,然后驱动/ CS为高电平。

    写禁用(04h)写禁止指令将状态寄存器中的写使能锁存(WEL)位复位为通过驱动/ CS低电平输入写禁止指令,将指令代码“04h”移入DI引脚然后驱动/ CS高。 请注意,WEL位在上电后自动复位完成写状态寄存器,页编程,扇区擦除,块擦除和芯片擦除说明。

    读状态寄存器-1(05h)和读状态寄存器-2(35h)读状态寄存器指令允许读取8位状态寄存器。指令是通过驱动/ CS低电平输入,并将状态寄存器-1和“35h”的指令代码“05h”移位状态寄存器-2在CLK的上升沿进入DI引脚。然后将状态寄存器位移出位于CLK下降沿的DO引脚,最高有效位(MSB)优先,状态寄存器位如图3a和3b所示,包括BUSY,WEL,BP2-BP0,TB,SEC,SRP0,SRP1,QE和SUS位(参见本数据手册前面的状态寄存器说明)。即使在编程,擦除或写入时,也可以随时使用读状态寄存器指令状态寄存器周期正在进行中。这允许检查BUSY状态位以确定何时循环完成,如果设备可以接受另一条指令??梢远寥∽刺拇嫫髁?,通过驱动/ CS高电平完成指令。

    写状态寄存器(01h)写状态寄存器指令允许写入状态寄存器。写使能指令之前必须执行该设备才能接受写状态寄存器指令(状态寄存器位WEL必须等于1)。一旦写入使能,通过驱动/ CS低电平输入指令,发送指令代码“01h”,然后写入状态寄存器数据字节,如图7所示。状态寄存器位如图3所示,并在本数据表的前面部分进行了描述。仅非易失性状态寄存器位SRP0,SEC,TB,BP2,BP1,BP0(状态的第7,5,4,3,2位)可以写入寄存器-1)和QE,SRP1(状态寄存器-2的第9位和第8位)。所有其他状态寄存器位位置是只读的,不受写状态寄存器指令的影响。在输入的数据的第8位或第16位之后,/ CS引脚必须被驱动为高电平。如果不是这样完成写入状态寄存器指令将不会被执行。如果/ CS在第8个时钟后被驱动为高电平(与25X系列兼容)QE和SRP1位将被清除为0. / CS被驱动为高电平后,自定时写入状态寄存器周期将以t W的持续时间开始(参见交流特性)。写状态寄存器周期正在进行时,读状态寄存器指令可能仍然存在访问以检查BUSY位的状态。写状态寄存器周期期间BUSY位为1当循环结束并准备再次接受其他指令时为0。写入寄存器之后周期结束后,状态寄存器中的写使能锁存(WEL)位将被清除为0。写状态寄存器指令允许块?;の唬⊿EC,TB,BP2,BP1和BP0)设置用于?;げ脸捅喑讨噶钪械乃?,部分或全部存储器。受?;で虮湮欢粒ㄇ氩卧淖刺拇嫫髂诖姹;け砗退得鳎?。写状态寄存器指令还允许设置状态寄存器?;の唬⊿RP0,SRP1)。那些位是与写?;ぃ? WP)引脚,锁定或OTP功能结合使用以禁止写入状态寄存器。有关状态寄存器?;さ南晗杆得?,请参见11.1.6方法。所有状态寄存器位的出厂默认值均为

    读数据(03h)读数据指令允许从存储器中顺序读取一个以上的数据字节。该通过将/ CS引脚驱动为低电平然后移位指令代码“03h”然后移位来启动指令一个24位地址(A23-A0)进入DI引脚。代码和地址位在上升沿锁存CLK引脚。收到地址后,寻址存储单元的数据字节将被移出在CLK的下降沿处的DO引脚上,最高有效位(MSB)优先。地址是自动的在每个数据字节移出后允许连续的,递增到下一个更高的地址数据流。这意味着只要使用一条指令就可以访问整个存储器时钟继续。通过驱动/ CS高电平完成指令。读数据指令序列如图8所示。如果发出读数据指令擦除,编程或写周期正在进行(BUSY = 1),指令被忽略,不会有任何指令对当前周期的影响。读数据指令允许从D.C.到最大f R的时钟速率(参见交流电气特性)。

    快速读?。?Bh)快速读取指令与读取数据指令类似,只是它可以在最高位置操作可能的频率为F R(参见交流电气特性)。 这是通过添加八个来完成的24位地址后的“虚拟”时钟,虚拟时钟允许器件内部电路设置初始地址的额外时间。 在虚拟时钟期间的数据值在DO引脚上是“不在乎”。

    快速读取双输出(3Bh)快速读取双输出(3Bh)指令类似于标准快速读?。?Bh)指令,除了数据在两个引脚上输出; IO 0和IO 1。 这允许数据从W25Q16BV传输标准SPI器件速率的两倍。 快速读取双输出指令非常适合快速读取在加电时将代码从Flash下载到RAM或者将代码段缓存到的应用程序RAM用于执行。与快速读取指令类似,快速读取双输出指令可以在最高位置运行可能的频率为F R(参见交流电气特性)。 这是通过添加八个来完成的24位地址后的“虚拟”时钟,虚拟时钟允许器件使用内部电路设置初始地址的额外时间。 虚拟时钟期间的输入数据是“不在乎”。 但是,IO 0引脚应在第一个数据的下降沿之前为高阻态出时钟。

    快速读取四输出(6Bh)指令类似于快速读取双输出(3Bh)指令除了数据在四个引脚IO 0,IO 1,IO 2和IO 3上输出。 必须是状态寄存器-2的四线使能在器件接受快速读取四输出指令(状态寄存器位QE)之前执行必须等于1)。 快速读取四输出指令允许从W25Q16BV传输数据是标准SPI器件速率的四倍??焖俣寥∷穆肥涑鲋噶羁梢栽贔 R的最高频率下工作(参见AC电气特性)。 这是通过在24位地址之后添加8个“伪”时钟来实现的虚拟时钟允许器件的内部电路有额外的时间进行设置初始地址。 虚拟时钟期间的输入数据是“不关心”。 但是,IO引脚应该在第一个数据输出时钟的下降沿之前是高阻抗。

    快速读取双I / O(BBh)指令允许在保持两个IO的同时改进随机访问引脚,IO 0和IO 1。它类似于快速读取双输出(3Bh)指令但具有的功能每个时钟输入两位地址位(A23-0)。这种减少的指令开销可能允许代码在某些应用中直接从Dual SPI执行(XIP)。使用“连续读取模式”快速读取双I / O快速读取双I / O指令可以通过设置来进一步减少指令开销输入地址位(A23-0)后的“连续读模式”位(M7-0),该(M7-4)的高半字节控制下一个快速读取双I / O指令的长度包含或排除第一个字节指令代码。 (M3-0)的低位半字节位无关紧要(“X”)。但是,IO引脚应在第一个数据输出时钟的下降沿之前为高阻态。如果“连续读取模式”位(M7-0)等于“Ax”十六进制,则下一个快速读取双I / O指令(在/ CS被提升然后降低之后)不需要BBh指令代码,这将指令序列减少了8个时钟,并允许立即读取地址在/ CS断言为低电平后输入。如果“连续读取模式”位(M7-0)是除了以外的任何值“Ax”十六进制,下一条指令(在CS升高然后降低之后)需要第一个字节指令代码,从而恢复正常运作。 “连续读取模式”复位指令可用于复位(M7-0)在发出正常指令之前

    快速读取四I / O(EBh)指令类似于快速读取双I / O(BBh)指令,除了该地址和数据位通过四个引脚IO 0,IO 1,IO 2和IO 3以及四个Dummy进行输入和输出在数据输出之前需要时钟。 Quad I / O大大降低了指令开销允许直接从Quad SPI实现更快的随机存取代码执行(XIP)。四线使能位必须设置状态寄存器-2的(QE)以启用快速读取四I / O指令。使用“连续读取模式”快速读取四I / O快速读取四I / O指令可以通过设置来进一步减少指令开销输入地址位(A23-0)后的“连续读模式”位(M7-0),该(M7-4)的高半字节控制下一个快速读取四I / O指令的长度包含或排除第一个字节指令代码。 (M3-0)的低位半字节位无关紧要(“X”)。但是,IO引脚应在第一个数据输出时钟的下降沿之前为高阻态。如果“连续读取模式”位(M7-0)等于“Ax”十六进制,则下一个快速读取四I / O指令(在/ CS被提升然后降低之后)不需要EBh指令代码,如图13b所示。这将指令序列减少了8个时钟,并允许立即读取地址在/ CS断言为低电平后输入。如果“连续读取模式”位(M7-0)是除了以外的任何值“Ax”十六进制,下一条指令(在CS升高然后降低之后)需要第一个字节指令代码,从而恢复正常运作。 “连续读取模式”复位指令可用于复位(M7-0)在发出正常指令之前

    字读取四I / O(E7h)指令类似于快速读取四I / O(EBh)指令,除了最低地址位(A0)必须等于0,并且在数据之前只需要两个Dummy时钟输出。 Quad I / O显着降低了指令开销,允许更快的代码随机访问直接从Quad SPI执行(XIP)。状态寄存器-2的四使能位(QE)必须设置为启用Word Read Quad I / O指令。Word使用“连续读取模式”读取四I / OWord Read Quad I / O指令可以通过设置来进一步减少指令开销输入地址位(A23-0)后的“连续读模式”位(M7-0),该(M7-4)的高半字节控制下一个快速读取四I / O指令的长度包含或排除第一个字节指令代码。 (M3-0)的低位半字节位无关紧要(“X”)。但是,IO引脚应在第一个数据输出时钟的下降沿之前为高阻态。如果“连续读取模式”位(M7-0)等于“Ax”十六进制,则下一个字读取四I / O.指令(在CS升高然后降低之后)不需要E7h指令代码,如图所示图14b。这将指令序列减少了8个时钟,并允许读取地址在/ CS断言为低电平后立即进入。如果“连续读取模式”位(M7-0)是任何值除了“Ax”十六进制之外,下一条指令(在CS升高然后降低之后)需要第一个字节指令代码,从而恢复正常运行。 “连续读取模式”复位指令可以是用于在发出正常指令之前复位(M7-0)


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